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Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BR (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
a partire da € 5.884,68024*
per 36 pezzi
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
a partire da € 5.500,10808*
per 36 pezzi
Infineon BSC16DN25NS3 G transistor 250 V (1 offerta)
Infineon
BSC16DN25NS3GATMA1
a partire da € 5.275,30*
per 5.000 pezzi
IGBT, VCE 6500 V, IC 250 A, CTI (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 250 A Tensione massima collettore emitter = 6500 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 1000 kW Tipo di package = CTI Ti...
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
a partire da € 4.801,258*
per 4 pezzi
Modulo IGBT Infineon, VCE 2300 V, IC 1,8 kA, Primo 3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 2300 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2700 kW Tipo di package = Primo...
Infineon
SP005678645
a partire da € 4.402,64802*
per 3 pezzi
Modulo IGBT onsemi, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 119 W
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
a partire da € 3.984,46804*
per 28 pezzi
Modulo IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 950 A, HybridPACK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 950 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 870 W Tipo di package = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
€ 3.549,504*
per 6 pezzi
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 760 A, canale N, AG-HYBRIDD-1 (1 offerta) 
Lunità Infineon HybridPACKTM è un modulo molto compatto da sei unità ottimizzato per veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di alimentazione implementa la IGBT4 generazione. Il chipset ha unelevata...
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
a partire da € 3.311,84604*
per 6 pezzi
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 3.282,408*
per 12 pezzi
IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO247PLUS (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 1,07 kW Tipo di package = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
a partire da € 3.127,08*
per 240 pezzi
IGBT Vishay SI7489DP-T1-E3 (1 offerta) 
IGBT
Vishay
SI7489DP-T1-E3
a partire da € 3.049,26*
per 3.000 pezzi
Modulo IGBT Infineon, VCE 2300 V, IC 1,8 kA, Primo 3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 2300 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2700 kW Tipo di package = Primo...
Infineon
SP005349542
a partire da € 2.886,978*
per 2 pezzi
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggi...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
a partire da € 2.950,43*
per 10 pezzi
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 100, canale N, Modulo (1 offerta) 
Il modulo di potenza intelligente 1200V Mitsubishi Electric è dotato di IGBT ad alte prestazioni e ad alta affidabilità con sei driver per modulo. È dotato di 150 A di corrente di collettore contin...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
a partire da € 2.760,19*
per 10 pezzi
Modulo Smart Power onsemi, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, DIP39 (1 offerta) 
LON Semiconductor NFAM2012L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura, adatto ...
onsemi
NFAM2012L5BT
a partire da € 2.734,8705*
per 90 pezzi
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