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  IGBT (1.544 articoli)

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Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 101 A, Q2BOOST - contenitore 180BR (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 101 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH450B100H4Q2F2SG
a partire da € 5.884,68024*
per 36 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
a partire da € 5.500,10808*
per 36 pezzi
 
 pacchetto
Infineon BSC16DN25NS3 G transistor 250 V (1 offerta)
Infineon
BSC16DN25NS3GATMA1
a partire da € 5.275,30*
per 5.000 pezzi
 
 pacchetto
IGBT, VCE 6500 V, IC 250 A, CTI (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 250 A Tensione massima collettore emitter = 6500 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 1000 kW Tipo di package = CTI Ti...
Infineon
FZ250R65KE3NPSA1
a partire da € 4.801,258*
per 4 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 2300 V, IC 1,8 kA, Primo 3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 2300 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2700 kW Tipo di package = Primo...
Infineon
SP005678645
a partire da € 4.402,64802*
per 3 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 119 W
onsemi
NXH020F120MNF1PTG
a partire da € 3.984,46804*
per 28 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 950 A, HybridPACK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 950 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 870 W Tipo di package = HybridPACK
Infineon
FS950R08A6P2BBPSA1
a partire da € 3.456,732*
per 6 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 760 A, canale N, AG-HYBRIDD-1 (1 offerta) 
Lunità Infineon HybridPACKTM è un modulo molto compatto da sei unità ottimizzato per veicoli ibridi ed elettrici. Il modulo di alimentazione implementa la IGBT4 generazione. Il chipset ha unelevata...
Infineon
FS380R12A6T4BBPSA1
a partire da € 3.311,84604*
per 6 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 3.217,578*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 750 V, IC 200 A, TO247PLUS (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 750 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 1,07 kW Tipo di package = TO247PLUS
Infineon
AIKQ200N75CP2XKSA1
a partire da € 3.127,08*
per 240 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Vishay SI7489DP-T1-E3 (1 offerta) 
IGBT
Vishay
SI7489DP-T1-E3
a partire da € 3.049,26*
per 3.000 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggi...
Infineon
FP200R12N3T7BPSA1
a partire da € 2.950,43*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 2300 V, IC 1,8 kA, Primo 3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 2300 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 2700 kW Tipo di package = Primo...
Infineon
SP005349542
a partire da € 2.886,978*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 100, canale N, Modulo (1 offerta) 
Il modulo di potenza intelligente 1200V Mitsubishi Electric è dotato di IGBT ad alte prestazioni e ad alta affidabilità con sei driver per modulo. È dotato di 150 A di corrente di collettore contin...
Mitsubishi
PM100CG1B120300G
a partire da € 2.760,19*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo Smart Power onsemi, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, DIP39 (1 offerta) 
LON Semiconductor NFAM2012L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura, adatto ...
onsemi
NFAM2012L5BT
a partire da € 2.734,8705*
per 90 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 2,4 kA, Primo 3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 2,4 kA Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Primo 3...
Infineon
SP005545663
a partire da € 2.702,69901*
per 3 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 34 A, D2PAK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 34 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = D2PAK
Infineon
AUIRG4BC30SSTRL
a partire da € 2.667,904*
per 800 pezzi
 
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IGBT onsemi, VCE 2,6 V, NFAQ (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 2,6 V Tensione massima gate emitter = 600V Tipo di package = NFAQ
onsemi
NFAQ0560R46T
a partire da € 2.641,32*
per 400 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM300GB12F4
a partire da € 2.577,29208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 150 A, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = Modulo T...
Infineon
FP150R12N3T7BPSA1
a partire da € 2.568,06*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, Pin a pressione F1-4PACK con materiale di interfaccia termica pre-applicato (TIM) (senza piombo e (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 74 W
onsemi
NXH040F120MNF1PTG
a partire da € 2.552,19608*
per 28 pezzi
 
 pacchetto
IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 200 A, canale NPN, ECOPACK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 714 W Configurazione = Single Tip...
ST Microelectronics
STGSB200M65DF2AG
a partire da € 2.535,71*
per 200 pezzi
 
 pacchetto
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 348 W Configurazione = Single Tipo...
ROHM Semiconductor
RGWX5TS65DHRC11
a partire da € 2.530,341*
per 450 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 600 V, IC 600 A, 94x48mm (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 4,17 kW Tipo di package = 94x48mm ...
Mitsubishi
CM600DY-13T300G
a partire da € 2.341,97*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 400 A, canale N, 62 mm (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = 62 mm Tip...
Infineon
FF400R17KE4HOSA1
a partire da € 2.324,05*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 2.257,16004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 2.249,57004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
IGBT, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Configurazione = Ponte tri...
Infineon
FP150R12KT4BPSA1
a partire da € 2.198,65*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 200 A, EconoPACK (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6 Tipo di package = EconoPACK
Infineon
FS200R06KE3BOSA1
a partire da € 2.184,69*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 85 A, TO-247GE (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 85 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 277 W Tipo di package = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGTH00TS65DGC13
a partire da € 2.166,612*
per 600 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 2.127,618*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 104 A, TO-247GE (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 104 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 288 W Tipo di package = TO-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65DGC13
a partire da € 2.112,462*
per 600 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 600 A, canale N, 62 mm (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = 62 mm Tip...
Infineon
FF600R12KE4EBOSA1
a partire da € 2.083,84*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 4500 V, IC 1,8 kA, AG-IHVB190 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 4500 V Dissipazione di potenza massima = 4000 kW Tipo di package = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4S7BPSA1
a partire da € 1.993,68*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Numero di transistor = 6
Infineon
FS150R12KT3BOSA1
a partire da € 1.975,03*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 5 A, canale N, DIP (1 offerta) 
Lon Semiconductor NFAM0512L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato da− costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura (ter...
onsemi
NFAM0512L5BT
a partire da € 1.940,3001*
per 90 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 4500 V, IC 1,8 kA, AG-IHVB190 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 4500 V Dissipazione di potenza massima = 4000 kW Tipo di package = AG-IHVB190
Infineon
FZ1800R45HL4BPSA1
a partire da € 1.897,068*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 1,8 kA, canale N, AG-PRIME3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,8 kA Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 1,8 kW Tipo di package = AG-PRIM...
Infineon
FF1800R17IP5BPSA1
a partire da € 1.891,47*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 450, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 450 Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 2 Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Mo...
Mitsubishi
CM450DY-24T 300G
a partire da € 1.858,73*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 50, canale N, Modulo (1 offerta) 
Il modulo di potenza intelligente 1200V Mitsubishi Electric è dotato di IGBT ad alte prestazioni e ad alta affidabilità con sei driver per modulo. È dotato di 50 A di corrente di collettore continu...
Mitsubishi
PM50CG1B120300G
a partire da € 1.851,06*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 385 W
Infineon
FP75R12KT4B11BOSA1
a partire da € 1.817,64*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 100 A, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 355 W Tipo di package = Modulo...
Infineon
FS75R12KT3GBOSA1
a partire da € 1.808,24*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4G
a partire da € 1.802,66208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 75 A, EconoPIM (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 7 Tipo di package = EconoPIM
Infineon
FP75R12KT4BOSA1
a partire da € 1.798,93*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1700 V, IC 1,5 kA, canale N, PRIME3+ (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 1,5 kA Tensione massima collettore emitter = 1700 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW Tipo di package = PRIME3+ ...
Infineon
FF1500R17IP5BPSA1
a partire da € 1.769,138*
per 2 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 3.300 V., IC 2,4 kA, AG-IHVB190 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 2,4 kA Tensione massima collettore emitter = 3.300 V. Dissipazione di potenza massima = 5.400 kW Tipo di package = AG-IHVB190
Infineon
FZ2400R33HE4BPSA1
a partire da € 1.749,573*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 1200 V, IC 600, canale N, Modulo (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 600 Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 2 Tipo di package = Modulo Tipo di montaggio =...
Mitsubishi
CM600DX -24T 300G
a partire da € 1.738,70001*
per 9 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Mitsubishi Electric, VCE 600 V, IC 400 A, 94x48mm (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 2,83 kW Tipo di package = 94x48mm ...
Mitsubishi
CM400DY-13T300G
a partire da € 1.730,81*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 450 A, AG-ECONOD (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 450 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 2 Tipo di package = AG-ECONOD Tipo di montag...
Infineon
FF450R12ME7B11BPSA1
a partire da € 1.717,29*
per 10 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, Q0BOOST - contenitore 180AJ (pin a saldare senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 69 W
onsemi
NXH80B120MNQ0SNG
a partire da € 1.708,302*
per 24 pezzi
 
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