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  IGBT (1.544 articoli)

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Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 207,66*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65RH5XKSA1
a partire da € 7,519*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 395 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 268,6302*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 75 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Configurazione = Single
Infineon
IKW75N65SS5XKSA1
a partire da € 9,419*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 6,017*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 274 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 220,1502*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65SS5XKSA1
a partire da € 7,816*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 544,688*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 75 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 75 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM75GB12F4
a partire da € 55,556*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 2.249,57004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAL12F4
a partire da € 152,162*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 2.257,16004*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM400GAR12F4
a partire da € 152,06*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 3.217,578*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 400 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM400GB12F4
a partire da € 218,089*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM300GB12F4
a partire da € 2.577,29208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM300GB12F4
a partire da € 173,68*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 2.127,618*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM200GB12F4
a partire da € 143,289*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4
a partire da € 805,28*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4
a partire da € 81,531*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM150GB12F4G
a partire da € 1.802,66208*
per 12 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAL12F4
a partire da € 482,16*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAL12F4
a partire da € 48,677*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAR12F4
a partire da € 481,874*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1
Semikron
SKM100GAR12F4
a partire da € 48,934*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge
Semikron
SKM100GB12F4
a partire da € 642,568*
per 8 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 43,583*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2
Infineon
FS75R07W2E3B11ABOMA1
a partire da € 55,303*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,37*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IGW50N65F5FKSA1
a partire da € 3,18*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,11*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65F5FKSA1
a partire da € 2,784*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,162*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65H5FKSA1
a partire da € 3,238*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 50 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 2 Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW50N65RH5XKSA1
a partire da € 5,20*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 131,97*
per 30 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Dissipazione di potenza massima = 250 W Tipo di package = PG-TO247-3
Infineon
IKW40N65RH5XKSA1
a partire da € 5,037*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,02*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 30 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 30 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 105 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IKP15N65H5XKSA1
a partire da € 1,52*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 3 Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 137,07*
per 50 pezzi
 
 pacchetto
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 90 A, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 90 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 333 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP50N60TXKSA1
a partire da € 2,716*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (3 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 0,639*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 24 A, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 24 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IKP10N60TXKSA1
a partire da € 1,02*
per pezzo
 
 pezzi
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (2 offerte) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 3,516*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo transistor IGBT Infineon, PG-TO263-7 (1 offerta) 
Tipo di package = PG-TO263-7
Infineon
IMBG120R350M1HXTMA1
a partire da € 4,479*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, SDIP2B (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-L
a partire da € 12,59*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 20 A, canale N, SDIP2B (1 offerta) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-L
a partire da € 12,056*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 18 A, canale N, SDIP (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIPS20K60
a partire da € 11,751*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SDIP2F (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIF10CH60TS-L
a partire da € 9,464*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SDIP2F (1 offerta) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIF10CH60TS-L
a partire da € 9,14*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SDIP2B (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-L
a partire da € 10,57*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 15 A, canale N, SDIP2B (1 offerta) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-L
a partire da € 10,12*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, SDIP (2 offerte) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIPS10K60A
a partire da € 10,373*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 10 A, canale N, SDIP (1 offerta) 
Moduli di potenza intelligente SLLIMM™, STMicroelectronics. STMicroelectronics ha ampliato la propria offerta di moduli di potenza intelligente IGBT con l'introduzione della seconda serie di moduli...
ST Microelectronics
STGIPS10K60A
a partire da € 16,224*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 10 A, canale P, SDIPHP-30L (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 10 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Dissipazione di potenza massima = 125 W Tipo di package = SDIPHP-30L Tipo di montaggio = Su foro Tipo di...
ST Microelectronics
STGIK10M120T
a partire da € 35,511*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 10 A, canale P, SDIPHP-30L (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 10 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Dissipazione di potenza massima = 125 W Tipo di package = SDIPHP-30L Tipo di montaggio = Su foro Tipo di...
ST Microelectronics
STGIK10M120T
a partire da € 35,495*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CABINA (2 offerte) 
LON Semiconductor NFAL5065L4BT è un modulo di potenza intelligente che fornisce uno stadio di uscita inverter ad alte prestazioni completo per motori a induzione c.a., BLDC e PMSM. Questi moduli in...
onsemi
NFAL5065L4BT
a partire da € 40,96*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CABINA (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CABINA Tipo di monta...
onsemi
NFAL5065L4BT
a partire da € 46,564*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CAA (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CAA Tipo di montaggi...
onsemi
NFAL5065L4B
a partire da € 38,23*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, SPM49-CAA (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SPM49-CAA Tipo di montaggi...
onsemi
NFAL5065L4B
a partire da € 41,681*
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 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, SIP (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 12 W Tipo di package = SIP Tipo di canale = N Numero pin = 29 Configurazione transistor = Serie
onsemi
NFAP0560L3TT
a partire da € 7,42*
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 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, SIP (1 offerta) 
The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...
onsemi
NFAP0560L3TT
a partire da € 8,338*
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 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 600 V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP Tipo di canale = N Numero pin = 38 Configurazione transistor = Serie
onsemi
NFAQ1560R43T
a partire da € 13,837*
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 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP (1 offerta) 
The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...
onsemi
NFAQ1560R43T
a partire da € 14,22*
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 pezzo
Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 50 W Tipo di package = DIP Tipo di canale = N Numero pin = 38 Configurazione transistor = Serie
onsemi
NFAQ1560R43TL
a partire da € 7,229*
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Modulo Smart Power onsemi, VCE 600 V, canale N, DIP (1 offerta) 
The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...
onsemi
NFAQ1560R43TL
a partire da € 8,447*
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Modulo Smart Power onsemi, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, DIP39 (1 offerta) 
LON Semiconductor NFAM2012L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura, adatto ...
onsemi
NFAM2012L5BT
a partire da € 2.734,8705*
per 90 pezzi
 
 pacchetto
Modulo Smart Power onsemi, VCE 1200 V, IC 20 A, canale N, DIP39 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Configurazione = Ponte trifase Tipo di mont...
onsemi
NFAM2012L5BT
a partire da € 38,873*
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Modulo Smart Power Infineon, VCE 600 V, IC ±15 A, DIP (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = ±15 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 27 W Tipo di package = DIP
Infineon
IM323L6G2XKMA1
a partire da € 6,47*
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 pezzo
Modulo Smart Power Infineon, VCE 600 V, IC ±15 A, DIP (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = ±15 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 27 W Tipo di package = DIP
Infineon
IM323L6G2XKMA1
a partire da € 7,403*
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Modulo Smart Power Infineon, VCE 600 V, IC ±15 A, DIP (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = ±15 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 27 W Tipo di package = DIP
Infineon
IM323L6GXKMA1
a partire da € 6,47*
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 pezzo
Modulo Smart Power Infineon, VCE 600 V, IC ±15 A, DIP (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = ±15 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 27 W Tipo di package = DIP
Infineon
IM323L6GXKMA1
a partire da € 7,403*
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Modulo Smart Power Infineon, VCE 3,21 V., IC 20 A, canale N, DIP 36 x 23D (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 3,21 V. Dissipazione di potenza massima = 156 W Tipo di package = DIP 36 x 23D Tipo di canale = N Numero pin = ...
Infineon
IM818LCCXKMA1
a partire da € 26,51*
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Modulo Smart Power Infineon, VCE 3,21 V., IC 20 A, canale N, DIP 36 x 23D (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 3,21 V. Dissipazione di potenza massima = 156 W Tipo di package = DIP 36 x 23D Tipo di canale = N Numero pin = ...
Infineon
IM818LCCXKMA1
a partire da € 27,773*
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Modulo IGBT Vishay, VCE 600 V, IC 184 A, canale N, SOT-227 (1 offerta) 
Moduli IGBT, Vishay. I moduli IGBT ad elevata efficienza Vishay vengono forniti con una scelta di tecnologie IGBT PT, NPT e Trench. La gamma comprende interruttori singoli, inverter, chopper, half-...
Vishay
VS-GT140DA60U
a partire da € 36,987*
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 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (2 offerte) 
Il robusto IGBT ST STMicroelectronics SLLIMM - serie 2nd IPM, inverter trifase, 20 A, 600 V, a corto circuito fornisce un azionamento per motori c.a. compatto e ad alte prestazioni in una struttura...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
a partire da € 11,025*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 5V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SDIP2B-26L TIPO X Tipo di montaggio = Su foro Tipo di canale = N Configuraz...
ST Microelectronics
STGIB15CH60TS-X
a partire da € 15,316*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (2 offerte) 
Il robusto IGBT ST STMicroelectronics SLLIMM - serie 2nd IPM, inverter trifase, 15 A, 600 V, a corto circuito fornisce un azionamento per motori c.a. compatto e ad alte prestazioni in una struttura...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
a partire da € 9,07*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, canale N, SDIP2B-26L TIPO X (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = 5V Numero di transistor = 6 Tipo di package = SDIP2B-26L TIPO X Tipo di montaggio = Su foro Tipo di canale = N Configuraz...
ST Microelectronics
STGIB10CH60TS-X
a partire da € 12,597*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 600 V, IC 500 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM400GB066D
a partire da € 197,771*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 600 V, IC 265 A, canale N, SEMITRANS2 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM195GB066D
a partire da € 97,652*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 600 V, IC 195 A, canale N, SEMITRANS2 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM145GB066D
a partire da € 60,463*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 600 V, IC 151 A, canale N, SEMITOP4 (1 offerta) 
Moduli IGBT quadrupli. La configurazione in serie di questi moduli IGBT quadrupli Semikron li rende la soluzione perfetta per le applicazioni che richiedono una topologia di livello 3 ad alte prest...
Semikron
SK 150 MLI 066 T
a partire da € 136,354*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1700 V, IC 430 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM400GB176D
a partire da € 314,353*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1700 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM200GB176D
a partire da € 187,414*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1700 V, IC 125 A, canale N, SEMITRANS2 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM100GB176D
a partire da € 103,801*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 81 A, canale N, SEMITRANS2 (3 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM50GB12T4
a partire da € 49,49*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 618 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT singoli. SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.
Semikron
SKM400GAL12E4
a partire da € 174,223*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM400GB12E4
a partire da € 200,787*
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 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 616 A, canale N (1 offerta) 
Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 2...
Semikron
SKM400GB12T4
a partire da € 208,596*
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 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 470 A, canale N, SEMITRANS3 (2 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM400GB126D
a partire da € 233,74*
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 469 A, canale N, SEMiX®3p (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi SEMiX®. Moduli IGBT doppi di Semikron in contenitori a profilo basso SEMiX® adatti per applicazioni di comando di potenza half-bridge. I moduli utilizzano contatti a molla o a pre...
Semikron
SEMiX303GB12E4p
a partire da € 187,052*
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM300GB12E4
a partire da € 162,977*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 422 A, canale N (2 offerte) 
Il modulo IGBT rapido 4 Semikron Semitrans 3 appartiene alla generazione IGBT4 che può essere la scelta preferita per applicazioni quali saldatrici elettroniche a frequenze di commutazione fino a 2...
Semikron
SKM300GB12T4
a partire da € 168,417*
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 pezzo
Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 400 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM400GB125D
a partire da € 372,025*
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 314 A, canale N, SEMITRANS3 (2 offerte) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM200GB12E4
a partire da € 128,674*
per pezzo
 
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM300GB125D
a partire da € 327,081*
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 260 A, canale N, SEMITRANS3 (1 offerta) 
Moduli IGBT doppi. Una gamma di moduli IGBT SEMITOP® realizzati da Semikron e costituiti da due dispositivi IGBT (half-bridge) collegati in serie. I moduli sono disponibili in un'ampia gamma di ten...
Semikron
SKM200GB126D
a partire da € 140,214*
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Modulo IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 232 A, canale N, SEMITRANS2 (2 offerte) 
Moduli IGBT singoli. SEMIKRON offre moduli IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) in pacchetti SEMITRANS, SEMiX e SEMITOP di differenti topologie, valori nominali di corrente e tensione.
Semikron
SKM150GAL12T4
a partire da € 57,487*
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