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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, IC 61 A, Pin a pressione Case 180BF (senza piombo e alogenuro) (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 61 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W
onsemi
NXH100B120H3Q0PG
a partire da € 123,916*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q13-TNPC (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...
onsemi
NXH40T120L3Q1SG
a partire da € 274,55*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q13-TNPC (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...
onsemi
NXH40T120L3Q1SG
a partire da € 501,688*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di ca...
onsemi
NXH100B120H3Q0PTG
a partire da € 62,75*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Tipo di package = Q0BOOST Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo d...
onsemi
NXH100B120H3Q0PTG
a partire da € 64,005*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (2 offerte) 
Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Tipo di package = Q0BOOST Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo d...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
a partire da € 63,181*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) 
NXH100B120H3Q0 è un modulo di potenza contenente uno stadio dual boost costituito da due IGBT da 50A/1200 V, due diodi SiC da 20A/1200 V e due diodi in antiparallelo da 25 A/1600 V per gli IGBT. So...
onsemi
NXH100B120H3Q0STG
a partire da € 65,342*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
a partire da € 5.500,10808*
per 36 pezzi
 
 pacchetto
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (PRESSFIT) (pin senza piombo e senza alogenuro a pressione), Q2BOOST - (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6
onsemi
NXH300B100H4Q2F2PG
a partire da € 161,953*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (pin A SALDARE) (pin a saldare senza piombo e senza alogenuro), Q2BOOST (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 6
onsemi
NXH300B100H4Q2F2SG
a partire da € 148,723*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 73 A, 93x47 (pin A SALDARE) (pin a saldare senza piombo e senza alogenuro), Q2BOOST (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 73 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 79 W
onsemi
NXH300B100H4Q2F2SG
a partire da € 325,776*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (PRESSFIT) (senza piombo/alogenuro), PIM42 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4 Tipo di package = 93x47 (PRESSFIT) (senza...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
a partire da € 240,023*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (PRESSFIT) (senza piombo/alogenuro), PIM42 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 959 W. Tipo di package = 93x47 (...
onsemi
NXH400N100H4Q2F2PG
a partire da € 271,121*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (pin A SALDARE) (senza piombo/alogenuro), PIM44 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 959 W.
onsemi
NXH400N100H4Q2F2SG
a partire da € 235,969*
per pezzo
 
 pezzo
Modulo IGBT onsemi, VCE 1000 V, IC 409 A, 93x47 (pin A SALDARE) (senza piombo/alogenuro), PIM44 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 409 A Tensione massima collettore emitter = 1000 V Tensione massima gate emitter = ±20V Numero di transistor = 4
onsemi
NXH400N100H4Q2F2SG
a partire da € 257,531*
per pezzo
 
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