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IGBT Infineon, PG-TO220-3 (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 188 W Tipo di package = PG-TO220-3
Infineon
IGP30N65F5XKSA1
a partire da € 0,943*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 10 A, TO-263L (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 10 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 106 W Tipo di package = TO-263L Nu...
ROHM Semiconductor
RGT20NL65GTL
a partire da € 0,949*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 34 A, canale N, PG-TO220 (1 offerta) 
Infineon IKA10N65ET6 offre buone prestazioni termiche, soprattutto alle frequenze più elevate e un maggiore margine di progettazione e affidabilità. È un diodo Rapid anti-parallelo a recupero rapid...
Infineon
IKA15N65ET6XKSA2
a partire da € 0,951*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 30 A, canale N, TO-220FP (2 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGF15H60DF
a partire da € 0,96*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 10 A, TO-263L (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 10 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-263L Numero pin = 3
ROHM Semiconductor
RGT20NL65GTL
a partire da € 0,965*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT Infineon, PG-TO-220-3 (1 offerta) 
Dissipazione di potenza massima = 110 W Tipo di package = PG-TO-220-3
Infineon
IGP10N60TXKSA1
a partire da € 0,979*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 53 A, canale N, TO-247 (3 offerte) 
Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 600 e 650 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore di 600 e 650 V dotati della tecnologia TrenchS...
Infineon
IGW30N60TPXKSA1
a partire da € 0,986*
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 pezzo
IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 15 A, canale N, TO-220 (2 offerte) 
Corrente massima continuativa collettore = 15 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 33.3 W Tipo di package = TO...
Infineon
IKA15N65H5XKSA1
a partire da € 0,986*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT STMicroelectronics, VCE 375 V, IC 20 A, canale N, D2PAK (TO-263) (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGB10NB37LZT4
a partire da € 0,986*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT onsemi, VCE 300 V, IC 21 A, canale N, DPAK (TO-252) (1 offerta) 
IGBT discreti, Fairchild Semiconductor
onsemi
ISL9V3040D3ST
a partire da € 0,988*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 23 A, canale N, TO-220FP (2 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGF10NB60SD
a partire da € 1,002*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 30 A, PG-TO252-3 (1 offerta) 
Transistor bipolare a gate isolato Infineon con diodo integrato nei contenitori che offre un vantaggio salvaspazio.Elevata efficienza Basse perdite di commutazione Maggiore affidabilità Bassa inter...
Infineon
IKD15N60RATMA1
a partire da € 1,008*
per pezzo
 
 pezzi
IGBT STMicroelectronics, VCE 420 V, IC 30 A, canale N, D2PAK (TO-263) (3 offerte) 
ESBT discreti, ST Microelectronics
ST Microelectronics
STGB18N40LZT4
a partire da € 1,014*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Vishay SUM70060E-GE3 (3 offerte) 
IGBT
Vishay
SUM70060E-GE3
a partire da € 1,014*
per pezzo
 
 pezzo
IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO263-3 (1 offerta) 
Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO263...
Infineon
IKB20N60H3ATMA1
a partire da € 1,019*
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