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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Infineon AIKW50N65RF5 è unalimentazione discreta ibrida con tecnologia di alimentazione SiC con le migliori prestazioni in termini di costi, è laspetto più importante per le applicazioni ausiliarie... |
Infineon AIKW50N65RF5XKSA1 |
a partire da € 7,267*
per pezzo |
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Infineon IKZA50N65SS5XKSA1 |
a partire da € 7,25*
per pezzo |
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a partire da € 7,242*
per 2 pezzi |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 254 W Configurazione = Single Tipo... |
ROHM Semiconductor RGW00TS65CHRC11 |
a partire da € 7,24*
per pezzo |
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a partire da € 7,229*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 50 A, canale N, TO-247N (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 348 W Tipo di package = TO-247N Ti... |
ROHM Semiconductor RGWX5TS65HRC11 |
a partire da € 7,199*
per pezzo |
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Infineon IKW75N120CH7XKSA1 |
a partire da € 7,169*
per pezzo |
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IGBT onsemi, VCE 600 V, IC 5 A, DIP38 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 5 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Numero di transistor = 400 Tipo di package = DIP38 |
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a partire da € 7,16*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 1200 V, IC 150 A, Max247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 750 W Tipo di package = Max247 T... |
ST Microelectronics STGYA75H120DF2 |
a partire da € 7,124*
per pezzo |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 100 A, canale N, TO-247 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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a partire da € 7,11*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 60 A, canale N, HSIP247 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±30V Dissipazione di potenza massima = 148 W Tipo di package = HSI... |
Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 |
a partire da € 7,11*
per pezzo |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 70 A, canale N, TO-247 (3 offerte) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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a partire da € 7,09*
per pezzo |
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IGBT IXYS, VCE 1200 V, IC 70 A, canale N, TO-247 (1 offerta) IGBT discreti, serie IXYS XPT. La gamma XPT™ di IGBT discreti serie IXYS è provvista di tecnologia con wafer sottile Extreme-light Punch-Through che si traduce in resistenza termica ridotta e perdi... |
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a partire da € 7,011*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3-46 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = PG-TO247-... |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
a partire da € 7,006*
per pezzo |
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IGBT ROHM, VCE 650 V, IC 40 A, canale N, TO-247N (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±30V Dissipazione di potenza massima = 214 W Tipo di package = TO-247N Ti... |
ROHM Semiconductor RGW80TS65CHRC11 |
a partire da € 6,98*
per pezzo |
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