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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20 V, ±25 V Dissipazione di potenza massima = 394 W Tipo di package = P... |
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a partire da € 2,64*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3-46 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = PG-TO247-... |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
a partire da € 4,99*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, PG-TO247-3-46 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 500 W Tipo di package = PG-TO247-... |
Infineon IKQ40N120CH3XKSA1 |
a partire da € 7,016*
per pezzo |
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Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
a partire da € 4,354*
per pezzo |
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Infineon IKY40N120CS6XKSA1 |
a partire da € 4,371*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (2 offerte) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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a partire da € 4,54*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 80 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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a partire da € 154,2702*
per 30 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 890 A (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 890 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW |
Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1 |
a partire da € 305,09*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1200 V, IC 890 A (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 890 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 20 mW |
Infineon FF900R12ME7WB11BPSA1 |
a partire da € 301,093*
per pezzo |
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Infineon FF900R12ME7B11NPSA1 |
a partire da € 275,492*
per pezzo |
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Infineon FF900R12ME7B11NPSA1 |
a partire da € 268,955*
per pezzo |
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Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 |
a partire da € 247,51*
per pezzo |
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Infineon FF900R12ME7B11BOSA1 |
a partire da € 268,615*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 1350 V, IC 30 A, canale N, TO-247 (1 offerta) Transistor IGBT TrenchStop Infineon, da 1100 a 1600 V. Una gamma di transistor IGBT di Infineon con valori nominali della tensione collettore-emettitore da 1100 a 1600 V e dotati della tecnologia T... |
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a partire da € 9,35601*
per 3 pezzi |
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IGBT Infineon, VCE 1350 V., IC 30 A, canale N, TO-247 (2 offerte) IGBT a conduzione inversa serie IHW Infineon con diodo integrato monoliticamente in un contenitore TO-247 che si concentra sullefficienza e laffidabilità del sistema per i requisiti più esigenti de... |
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a partire da € 2,147*
per pezzo |
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