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Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM300GB12F4

a partire da € 2.577,29208*
per 12 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 300 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 300 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM300GB12F4

a partire da € 173,68*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM200GB12F4

a partire da € 2.166,252*
per 12 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 200 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 200 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM200GB12F4

a partire da € 143,289*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM150GB12F4

a partire da € 805,28*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM150GB12F4

a partire da € 81,531*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 150 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 150 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM150GB12F4G

a partire da € 1.802,66208*
per 12 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAL12F4

a partire da € 482,16*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAL12F4

a partire da € 48,677*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAR12F4

a partire da € 481,874*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 1

Semikron

SKM100GAR12F4

a partire da € 48,934*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Semikron, VCE 1200 V, IC 100 A (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 100 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±15.0V Numero di transistor = 2 Configurazione = Half Bridge

Semikron

SKM100GB12F4

a partire da € 642,568*
per 8 pezzi

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (2 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2

Infineon

FS75R07W2E3B11ABOMA1

a partire da € 43,583*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 95 A, ACEPACK 2 (1 offerta)

Corrente massima continuativa collettore = 95 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 275 W Tipo di package = ACEPACK 2

Infineon

FS75R07W2E3B11ABOMA1

a partire da € 60,649*
per pezzo

Modulo transistor IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, PG-TO247-3 (2 offerte)

Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 305 W Tipo di package = PG-TO247-3

Infineon

IGW50N65F5FKSA1

a partire da € 2,37*
per pezzo

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