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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO263-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO263... |
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a partire da € 1,43*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (3 offerte) Infineon IHW40N65R6 è un IGBT da 650 V, 40 A con diodo integrato monoliticamente in contenitore TO-247 con diodo integrato monoliticamente progettato per soddisfare i requisiti più esigenti di appl... |
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a partire da € 1,43*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA50HP65FB2 |
a partire da € 1,448*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, PG-TO247-3 (3 offerte) Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 230 W Tipo di package = PG-TO247-3 |
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a partire da € 1,45*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 50 A, TO-247 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 50 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 167 W Tipo di package = TO-247 Num... |
ST Microelectronics STGWA30H65DFB2 |
a partire da € 1,46*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 40 A, PG-TO247-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 40 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 170 W Tipo di package = PG-TO247... |
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a partire da € 1,464*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO220-3 (1 offerta) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO220... |
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a partire da € 1,466*
per pezzo |
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IGBT STMicroelectronics, VCE 650 V, IC 40 A, TO-220FP (1 offerta) La serie IGBT 650 V HB2 di STMicroelectronics rappresenta unevoluzione della struttura Advanced proprietaria Trench gate field-stop. Le prestazioni della serie HB2 sono ottimizzate in termini di co... |
ST Microelectronics STGF20H65DFB2 |
a partire da € 1,479*
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ST Microelectronics STGW20H60DF |
a partire da € 1,481*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWT20H65FB |
a partire da € 1,487*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 60 A, PG-TO263-3 (3 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 60 A Tensione massima collettore emitter = 600 V Tensione massima gate emitter = +/-20V Dissipazione di potenza massima = 187 W Tipo di package = PG-TO263... |
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a partire da € 1,49*
per pezzo |
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 38 A, TO-220-3 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 38 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Dissipazione di potenza massima = 130 W Configurazione = Single |
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a partire da € 1,49*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, PG-TO263 (3 offerte) Infineon IGB50N65S è un IGBT da 50 A con diodo anti-parallelo senza la necessità di un componente di bloccaggio del gate. In questa caratteristica di caduta di corrente dolce senza corrente di coda... |
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a partire da € 1,513*
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IGBT Infineon, VCE 650 V, IC 80 A, canale N, TO-263 (2 offerte) Corrente massima continuativa collettore = 80 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = 20V Numero di transistor = 1 Tipo di package = TO-263 Tipo di canale = N ... |
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a partire da € 1,513*
per pezzo |
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ST Microelectronics STGWA30HP65FB2 |
a partire da € 1,516*
per pezzo |
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