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a partire da € 67,386*
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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (2 offerte) Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Configurazione = Dual Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo di ca... |
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a partire da € 62,69*
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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Tipo di package = Q0BOOST Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo d... |
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a partire da € 63,965*
per pezzo |
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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (2 offerte) Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 186 W Tipo di package = Q0BOOST Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo d... |
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a partire da € 63,241*
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Modulo IGBT onsemi, VCE 1200 V, canale N, Q0BOOST (1 offerta) NXH100B120H3Q0 è un modulo di potenza contenente uno stadio dual boost costituito da due IGBT da 50A/1200 V, due diodi SiC da 20A/1200 V e due diodi in antiparallelo da 25 A/1600 V per gli IGBT. So... |
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a partire da € 65,372*
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