IGBT (155 articoli)

Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...

Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = ±20V Dissipazione di potenza massima = 145 W Tipo di package = Q13-TNPC Tipo di montaggio = Montaggio superficiale Tipo ...

Azionamenti per motori serie Motion SPM® 3, Fairchild Semiconductor. Una gamma di moduli Smart Power avanzati da Fairchild Semiconductor che forniscono soluzioni compatte a elevate prestazioni per ...

PFC SPM® (moduli di potenza intelligenti), Fairchild Semiconductor. Moduli di potenza Advanced Smart (SPM®) di PFC (correzione del fattore di potenza).

Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 25 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 25 Ampere ...

Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor con substrato a bassa resistenza termica contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 A...

Il modulo di potenza stampato a trasferimento on Semiconductor contenente un circuito convertitore-invertitore-freno costituito da sei raddrizzatori da 35 Ampere e 1600 Volt, sei IGBT da 35 Ampere ...

Corrente massima continuativa collettore = 35 A Tensione massima collettore emitter = 650 V Tensione massima gate emitter = ±20.0V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP26 Tipo di montaggio...

LON Semiconductor NFAM2012L5BT è un modulo di alimentazione inverter completamente integrato costituito da un driver gate high side indipendente, LVIC, sei IGBT e un sensore di temperatura, adatto ...

Corrente massima continuativa collettore = 20 A Tensione massima collettore emitter = 1200 V Tensione massima gate emitter = 15V Numero di transistor = 6 Configurazione = Ponte trifase Tipo di mont...

Tensione massima collettore emitter = 600 V Numero di transistor = 6 Tipo di package = DIP Tipo di canale = N Numero pin = 38 Configurazione transistor = Serie

The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...

Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 50 W Tipo di package = DIP Tipo di canale = N Numero pin = 38 Configurazione transistor = Serie

The ON Semiconductor fully-integrated inverter power stage consisting of a high-voltage driver, six IGBT’s and a thermistor, suitable for driving permanent magnet synchronous motors, brushless- DC ...

Tensione massima collettore emitter = 600 V Dissipazione di potenza massima = 12 W Tipo di package = SIP Tipo di canale = N Numero pin = 29 Configurazione transistor = Serie